IS49NLS93200-25BI是一款动态随机存储器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）产品，以下是其主要功能描述：
1. 容量：IS49NLS93200-25BI存储器的容量为32Mb，能够存储大量数据，适用于各种应用。
2. 运行速度：这款DRAM的运行速度快，其主频为25MHz，具有高速读写能力，能够快速存取数据。
3. 内部结构：IS49NLS93200-25BI采用8位数据总线和4位地址总线，并支持列地址变化（CAS）延迟。
4. 工作电压：该产品的工作电压为3.0V至3.6V，能够在较小的电压范围内正常工作，有利于低功耗和长电池寿命。
5. 封装形式：IS49NLS93200-25BI采用SOJ封装形式，适用于高密度PCB布局。
6. 温度范围：这款DRAM的工作温度范围为0°C至70°C，适用于各种环境下的应用。
7. 可靠性：IS49NLS93200-25BI具有良好的可靠性和稳定性，能够在长时间使用中保持一致的性能。
总之，IS49NLS93200-25BI是一款容量达到32Mb的动态随机存储器产品。它具有高速读写、小封装、宽工作电压范围、适用于不同环境和温度范围、可靠性高等特点。这使得它可以广泛应用于从数码相机到智能手机和其他各种电子设备中。
制造商: ISSI
产品种类: 动态随机存取存储器
RoHS: 环保
类型: RLDRAM2
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: BGA-144
数据总线宽度: 9 bit
组织: 32 M x 9
存储容量: 288 Mbit
最大时钟频率: 400 MHz
电源电压-最大: 1.9 V
电源电压-最小: 1.7 V
电源电流—最大值: 408 mA
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
系列: IS49NLS93200
商标: ISSI
湿度敏感性: Yes
产品类型: DRAM
包装数量：104
子类别: Memory & Data Storage
商标名: RLDRAM2
单位重量: 446.700 mg
