IS46TR16640A-125JBLA1是一种动态随机存取存储器（DRAM）芯片，具有以下主要特性：
1. 容量：IS46TR16640A-125JBLA1具有高容量的存储空间，可以存储大量的数据。具体的容量取决于具体型号，通常以兆字节（MB）或吉字节（GB）为单位。
2. 速度：该DRAM芯片具有快速的读写速度，可以提供较低的访问延迟和响应时间。这使得它非常适合需要快速数据访问的应用场景，如计算机系统的内存。
3. 电压：IS46TR16640A-125JBLA1的操作电压通常是标准的供电电压，可根据系统的要求进行调整。这种灵活性使其适用于各种不同类型的设备和应用。
4. 接口：该DRAM芯片支持各种常见的接口标准，如DDR3、DDR4、LPDDR4等，以便与不同的系统和设备进行兼容性。
5. 低功耗：IS46TR16640A-125JBLA1具有较低的功耗特性，可以有效地节省能源并延长设备的电池寿命。这对于移动设备和嵌入式系统尤为重要。
6. 可靠性：作为一种高性能DRAM芯片，它还具有高度的可靠性和稳定性，能够在长期使用和不同环境条件下工作。
制造商: ISSI
产品种类: 动态随机存取存储器
RoHS: 环保
类型: SDRAM - DDR3
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: BGA-96
数据总线宽度: 16 bit
组织: 64 M x 16
存储容量: 1 Gbit
最大时钟频率: 800 MHz
电源电压-最大: 1.575 V
电源电压-最小: 1.425 V
电源电流—最大值: 320 mA
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 95 C
系列: IS46TR16640A
商标: ISSI
湿度敏感性: Yes
产品类型: DRAM
包装数量：190
子类别: Memory & Data Storage
