类别：分立半导体产品：晶体管：FET，MOSFET：单 FET，MOSFET
制造商：Diodes Incorporated
包装：卷带（TR）：剪切带（CT）
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：40 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：22.4 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1287 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）：42W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：TO-252-3
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号：DMN6040
