制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 环保
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 3.4 A
Rds On-漏源导通电阻: 63 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 12 V, + 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 800 mV
Qg-栅极电荷: 2.9 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.3 W
通道模式: Enhancement
商标名: HEXFET
系列: N-Channel
商标: Infineon Technologies
配置: Single
高度: 1.1 mm
长度: 2.9 mm
产品类型: MOSFET
包装数量：3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 1.3 mm
零件号别名: IRLML6346TRPBF SP001578770
单位重量: 8 mg
