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晶体管 MOSFET FDS6670AS

发布时间2023-5-24 9:09:00关键词:FDS6670AS
摘要

MOSFET 30V N-CH POWER TRENCH SYNCFET

FDS6670

制造商: onsemi

产品种类: MOSFET

RoHS: 环保

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOIC-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 13.5 A

Rds On-漏源导通电阻: 9 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V

Qg-栅极电荷: 38 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.5 W

通道模式: Enhancement

商标名: PowerTrench SyncFET

系列: FDS6670AS

商标: onsemi / Fairchild

配置: Single

下降时间: 18 ns

正向跨导 - 最小值: 66 S

高度: 1.75 mm

长度: 4.9 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 5 ns

包装数量:2500

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

类型: FET

典型关闭延迟时间: 27 ns

典型接通延迟时间: 10 ns

宽度: 3.9 mm

零件号别名: FDS6670AS_NL

单位重量: 130 mg

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