制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 环保
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PowerPAK-1212-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 30 A
Rds On-漏源导通电阻: 2.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 16 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.1 V
Qg-栅极电荷: 51 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 39 W
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET, PowerPAK
系列: SIS
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降时间: 10 ns
正向跨导 - 最小值: 52 S
高度: 1.04 mm
长度: 3.3 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 10 ns
包装数量：3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 27 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
宽度: 3.3 mm
零件号别名: SISA10DN-GE3
单位重量: 1 g
