制造商: ROHM Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 环保
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-563-6
晶体管极性: N-Channel, P-Channel
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 200 mA
Rds On-漏源导通电阻: 1 Ohms, 1.2 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 8 V, + 8 V, - 10 V, + 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Qg-栅极电荷: -
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 150 mW
通道模式: Enhancement
系列: EM6M2
商标: ROHM Semiconductor
配置: Dual
下降时间: 10 ns, 17 ns
正向跨导 - 最小值: 200 mS
产品: MOSFET Small Signal
产品类型: MOSFET
上升时间: 10 ns, 4 ns
包装数量：8000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel MOSFET, 1 P-Channel MOSFET
典型关闭延迟时间: 15 ns, 17 ns
典型接通延迟时间: 5 ns, 6 ns
零件号别名: EM6M2
单位重量: 6 mg
