您好,欢迎来到深圳市金嘉锐电子有限公司

晶体管 MOSFET : FDC6333C

发布时间2023-5-13 11:27:00关键词: FDC6333C
摘要

MOSFET 30V/-30V N/P

FDC6333

制造商: onsemi

产品种类: MOSFET

RoHS: 环保

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SSOT-6

晶体管极性: N-Channel, P-Channel

通道数量: 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 2.5 A, 2 A

Rds On-漏源导通电阻: 95 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 16 V, + 16 V, - 25 V, + 25 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V, 3 V

Qg-栅极电荷: 6.6 nC, 5.7 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 960 mW

通道模式: Enhancement

商标名: PowerTrench

系列: FDC6333C

商标: onsemi / Fairchild

配置: Dual

下降时间: 6 ns, 13 ns

正向跨导 - 最小值: 7 S, 3 S

高度: 1.1 mm

长度: 2.9 mm

产品: MOSFET Small Signal

产品类型: MOSFET

上升时间: 6 ns, 13 ns

包装数量:3000

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel, 1 P-Channel

类型: MOSFET

典型关闭延迟时间: 19 ns, 11 ns

典型接通延迟时间: 4.5 ns, 4.5 ns

宽度: 1.6 mm

零件号别名: FDC6333C_NL

单位重量: 36 mg

深圳市金嘉锐电子有限公司

  • 联系人:

    朱先生 周先生 李小姐

  • QQ:

  • 二维码:
  • 微信:

    13530907567

  • 手机:

    13530907567

  • 电话:

    086-0755-22929859

  • 地址:

    深圳市福田区振兴路华康大厦2栋211