制造商: Texas Instruments
产品种类: MOSFET
RoHS: 环保
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: VSONP-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 100 A
Rds On-漏源导通电阻: 5.1 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 8 V, + 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 900 mV
Qg-栅极电荷: 8.9 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 3.1 W
通道模式: Enhancement
商标名: NexFET
系列: CSD17310Q5A
商标: Texas Instruments
配置: Single
开发套件: TPS40007EVM-001, TPS51220EVM
下降时间: 5 ns
正向跨导 - 最小值: 85 S
高度: 1 mm
长度: 6 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 11.6 ns
包装数量：2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 15 ns
典型接通延迟时间: 6.5 ns
宽度: 4.9 mm
单位重量: 280 mg
