制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 环保
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 90 A
Rds On-漏源导通电阻: 6.6 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 16 V, + 5 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V
Qg-栅极电荷: 135 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 125 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
系列: XPD90P04
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 60 ns
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 20 ns
包装数量：2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 140 ns
典型接通延迟时间: 20 ns
宽度: 6.22 mm
零件号别名: IPD90P04P4L-04 SP000840194
单位重量: 330 mg
