类别:分立半导体产品:晶体管:FET，MOSFET:单 FET，MOSFET
制造商:Alpha & Omega Semiconductor Inc.
包装:卷带（TR）:剪切带（CT）
FET 类型:P 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Ta），85A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.1 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:196 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:9120 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）:2.3W（Ta），83W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:8-DFN（5x6）
封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线
基本产品编号:AON640
