类别：分立半导体产品：晶体管：FET，MOSFET：RF FET，MOSFET
制造商：NXP USA Inc.
技术：LDMOS
频率：2.4GHz
增益：17.9dB
电压 - 测试：28 V
电流 - 测试：1.1 A
功率 - 输出：45W
电压 - 额定：65 V
安装类型：底座安装
封装/外壳：NI-780S
供应商器件封装：NI-780S
基本产品编号：AFT23
分立半导体产品 晶体管：AFT23S160W02SR3
摘要
RF Mosfet 28 V 1.1 A 2.4GHz 17.9dB 45W NI-780S
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