制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: 环保
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 61 A
Rds On-漏源导通电阻: 14 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: 41 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 150 W
通道模式: Enhancement
系列: FDP3652
配置: Single
下降时间: 45 ns
高度: 16.3 mm
长度: 10.67 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 85 ns
包装数量：50
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: MOSFET
典型关闭延迟时间: 26 ns
典型接通延迟时间: 12 ns
宽度: 4.7 mm
零件号别名: FDP3652_NL
单位重量: 2 g
