规格
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
23A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
117 毫欧 @ 14A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
110nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1450pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.1W（Ta），110W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D2PAK
