FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
150 毫欧 @ 2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.4nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
+20V，-25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
159pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
600mW（Ta）
工作温度
150°C
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
S-Mini
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
